در این مقاله اضافه ولتاژهای گذرای ناشی از کلید زنی بانک های خارنی موازی بررسی و شبیه سازی شده اند و روش هایی جهت کاهش گذراهای ناشی از کلید زنی بانک های خازنی موازی ارایه گردیده است که این روش ها شامل بکارگیری مقاومت در ساختار کلید قدرت، روش وصل همزمان در صفر ولتاژ (VZSC)، روش وصل همزمان در اوج ولتاژ (VPSC) و کاربرد برقگیرها می باشند. در ادامه مقاله کلید زنی بانک های خازنی موازی شبکه نمونه برق منطقه ای زنجان مدل و شبیه سازی شده است و یکی از روش های موجود جهت کاهش گذراها استفاده شده است.

در این مقاله یک اینورتر 13 سطحی کلیدزنی خازنی با بهره ولتاژ 3 پیشنهاد شده است. ساختار پیشنهادی، خروجی 13 سطحی را تنها با استفاده از یک منبع dc، 11 سوئیچ و 3 خازن تولید می کند. خازن های ساختار پیشنهادی بدون استفاده از مدارات اضافی یا روش کنترلی پیچیده دارای قابلیت تعادل خودکار ولتاژ می باشند. همچنین جریان هجومی خازن ها با استفاده از یک روش شارژ نرم کاهش یافته است. ساختار پیشنهادی با ساختارهای متفاوت 13 سطحی ارائه شده در تحقیقات اخیر از حیث پارامترهای مختلف مانند تعداد ادوات نیمه رسانا، تعداد منابع dc، بهره ولتاژ، حداکثر ولتاژ مسدودکنندگی (MBV) و ولتاژ مسدودکنندگی کل (TSV) مقایسه شده است. با بررسی نتایج این مقایسه قابل بیان است که ساختار پیشنهادی نسبت به دیگر ساختارها به طرز قابل توجهی از تعداد ادوات نیمه رسانای کمتر با TSV و بهره ولتاژ مناسب بهره می برد. از مزایای دیگر ساختار پیشنهادی نیز می توان به عدم استفاده از دیود و همچنین مقرون به صرفه بودن آن اشاره کرد. علاوه بر این تلفات توان ساختار پیشنهادی ارزیابی شده و راندمان آن برای توان های خروجی مختلف محاسبه شده است. در نهایت، کارایی ساختار پیشنهادی توسط شبیه سازی و پیاده سازی آزمایشگاهی آن تحت شرایط پایدار و همچنین شرایط دینامیکی مختلف تایید شده است.

چگالی توان بالای مبدل های سوییچ-خازنی ناشی از فقدان عناصر مغناطیسی است. اما، این موضوع منجربه عدم توانایی در تثبیت ولتاژ خروجی و کلیدزنی سخت، به خاطر جریان های لحظه ای بزرگ، می شود. این جریان ها سبب افزایش تلفات کلیدزنی و نویز و محدودشدن توان قابل پردازش می گردد. هرچند اخیرا با افزودن سلف های کوچک به ساختار برخی از مبدل های سوییچ-خازنی عمل کرد آن ها بهبود یافته است، ولی فقط تعداد معدودی از آن ها توانایی تثبیت ولتاژ خروجی و کلیدزنی نرم را دارند. در این جا، با ترکیب یک برش گر فعال و یک مبدل سوییچ-خازنی، در محدوده وسیعی از تغییرات ولتاژ ورودی و بار هر دو ویژگی تثبیت ولتاژ خروجی و کلیدزنی نرم در ادوات نیمه هادی قدرت حاصل شده است. به خاطر کاهش تلفات کلیدزنی و نویز می توان فرکانس را جهت کاهش اندازه سلف ها و خازن ها افزایش داد. این موضوع، ضمن کاهش حجم مبدل، عمل کرد آن را بهبود می بخشد، زیرا در عمل سلف ها و خازن های کوچک مشخصات فرکانس بالای مطلوب تری دارند. بنابراین، مبدل اصلاح شده در توان های بالا از ساختار رایج بهتر است. در این جا، علاوه بر تحلیل ریاضی، برای تثبیت یک ولتاژ خروجی V400 با وجود تغییرات وسیع ولتاژ ورودی (V100-50) و مقاومت بار (kΩ 8-Ω 400)، مبدل مذکور در فرکانسkHz200 شبیه سازی و ساخته شده است

در این مقاله، روش جدیدی برمبنای سیستم عصبی فازی (ANFIS) برای مکان یابی بانک خازنی کلیدزنی شده در شبکه توزیع ارائه می شود. این روش بر اساس شاخصی عمل می کند که از طریق آنالیز حالت گذرای جریان بدست می آید و از این شاخص برای آموزش شبکه عصبی فازی استفاده می شود. این شاخص را می توان بصورت Offline یا Online بوسیله ی اطلاعات کیفیت توان سیستم محاسبه نمود. روش بیان شده فقط از شکل موج حالت گذرای جریان استفاده می کند، که باعث سادگی روش می شود. این روش به مقدار جریان، بلافاصه قبل و بعد از لحظه کلیدزنی نیاز دارد، که می توان این روش را بصورت Online به کاربرد. شبیه سازی های مختلفی که انجام شده است نشان می دهد دیگر اختلال های کیفیت توان نمی توانند بر روی صحت عملکرد این روش تاثیر بگذارند. همچین اندازه و نوع اتصال نیز تاثیری بر روی دقت عملکرد روش پیشنهادی ندارد. الگوریتم پیشنهادی بر روی سیستم 13 باس IEEE پیاده سازی و صحت عملکرد آن تایید شده است. با توجه به نتایج شبیه سازی، روش پیشنهادی قابلیت پیاده سازی در سیستم های واقعی را دارد.

در این مقاله روش جدیدی برای شناسایی و طبقه بندی انواع حالت های گذرا از جمله: کلیدزنی خازنی، کلیدزنی بار، اتصال کوتاه تکفاز، دوفاز، سه فاز و جریان هجومی ترانس ارایه شده است. در این روش برای دسترسی به مولفه های فرکانس بالای سیگنال ها و استخراج ویژگی ها، از تبدیل موجک و برای انتخاب ویژگی ها، از روش آنالیز مولفه های اصلی و برای جداسازی داده ها از طبقه بندی کننده بیز استفاده شده است. اطلاعات مربوط به انواع حالات گذرا با شبیه سازی یک فیدر KV20 به کمک برنامه EMTP بدست آمده اند. نتایج میزان موفقیت بالای این روش را نشان می دهند.

در این مقاله یک مبدل کلیدزنی نرم بهره ولتاژ بالای غیرایزوله با ورودی جریان ارائه شده است. مبدل پیشنهادی ترکیبی از یک مبدل بوست کلیدخازنی دو وضعیتی (2-SSC) و یک سلول کلیدزنی نرم فعال است. در این مبدل برای تحقق افزایش بهره ولتاژ از یک سلف کوپل شده استفاده شده است. این مبدل در مقایسه با مبدل های مشابه دارای بهره ولتاژ بالاتری است. با استفاده از یک مدار کلپ اکتیو در این مبدل انرژی سلف نشتی جذب شده است، از اینرو کلیدها در شرایط ZVS کار می کنند. همچنین تنش ولتاژ بر روی کلید ها پایین است. در این مقاله عملکرد اولیه مبدل به طور کامل تشریح شده و نتایج شبیه سازی و یک نمونه آزمایشگاهی ساخته شده برای ولتاژ ورودی 20 ولت و خروجی 400 ولت در توان 200 وات به طور کامل ارائه شده است.

در این مقاله یک اینورتر چندسطحی کلیدزنی خازنی جدید با بهره ولتاژ 4 پیشنهاد شده است. ساختار پیشنهادی از یک منبع DC، 11 سوئیچ و یک دیود برای رسیدن به سطوح ولتاژ خروجی 17 سطحی استفاده می کند. ساختار پیشنهادی شامل سه خازن با قابلیت تعادل خودکار ولتاژ می باشد. خازن ها با استفاده از روش اتصال سری/موازی با منبع ورودی به تعادل خودکار ولتاژ دست می یابند. برای کنترل پالس های کلیدزنی سوئیچ ها از استراتژی مدولاسیون پهنای پالس شیفت سطح (PWM-LS) استفاده شده است. یک ارزیابی مقایسه ای بین ساختار پیشنهادی با ساختارهای ارائه شده در مقالات اخیر از حیث پارامترهای مختلف مانند بهره ولتاژ، تعداد منابع dc، تعداد ادوات نیمه رسانا، حداکثر ولتاژ مسدودکنندگی (MBV) و ولتاژ مسدودکنندگی کل (TSV) انجام شده است. با توجه به این مقایسه، تعداد کم ادوات نیمه رسانا برای تولید خروجی 17 سطحی با بهره ولتاژ مناسب و به ویژه مقرون به صرفه بودن ساختار مزایای عمده ساختار پیشنهادی می باشند. علاوه بر این، از یک روش شارژ نرم برای محدودسازی جریان هجومی خازن ها استفاده شده است. در ضمن تلفات توان ساختار پیشنهادی بررسی شده است که نشان دهنده راندمان مناسب آن می باشد. در نهایت، برای تحلیل و تایید عملکرد ساختار پیشنهادی، نمونه آزمایشگاهی پیاده سازی شده و در شرایط مختلف مورد ارزیابی قرار گرفته است. نتایج حاصل بیانگر عملکرد مطلوب ساختار پیشنهادی در شرایط عملکردی متفاوت می باشد.